Главная страница
qrcode

Тестовые задания


Скачать 40.82 Kb.
НазваниеТестовые задания
Дата03.05.2021
Размер40.82 Kb.
Формат файлаdocx
Имя файлаTest__zad_dists_Elektronika_IKTSS_dlya_prom_at_Luzginoy.docx
ТипДокументы
#46560
Каталог

Тестовые задания

Код направления подготовки (специальности)
Наименование направления подготовки (специальности)
Профиль
Дисциплина


задания
Код контролируемой компетенции
Текст вопроса
Варианты ответов
Номер правильного ответа
номер ответа
текст ответа
1
ОПК-2
Зависит ли высота потенциального барьера p-n-перехода от температуры

1
Возрастает с ростом температуры
2
Уменьшается с ростом тепературы
3
Не зависит от температуры
2
ОПК-2
Зависит ли высота потенциального барьера p-n-перехода от прямого напряжения на переходе

1
Уменьшается с ростом напряжения
2
Возрастает с ростом напряжения
3
Не зависит от напряжения
3
ОПК-2
Зависит ли высота потенциального барьера p-n-перехода от степени легирования p и n-областей

1
Не зависит
2
Возрастает с ростом степени легирования областей
3
Уменьшается с ростом степени легирования областей
4
ОПК-2
Как изменяется ширина области пространственного заряда p-n-перехода от обратного напряжения на переходе
1
Не зависит от обратного напряжения
2
Уменьшается с ростом обратного напряжения
3
Увеличивается с ростом обратного напряжения
5
ОПК-2
Зависит ли барьерная емкость p-n-перехода от напряжения на переходе


1
Не зависит
2
Зависит только от прямого напряжения на переходе
3
Уменьшается с ростом обратного напряжения и увеличивается с ростом прямого напряжения
6
ОПК-2
Зависит ли диффузионная емкость p-n-перехода от прямого напряжения на переходе

1
не зависит
2
Увеличивается с ростом прямого напряжения на переходе
3
Уменьшается с ростом прямого напряжения на переходе
7
ОПК-2
По какому закону зависит прямой ток от напряжения в идеализированном p-n-переходе (диодная теория выпрямления)

1
По линейному
2
Не зависит от напряжения
3
По экспоненциальному
8
ОПК-2
Связан ли рекомбинационный ток p-n-перехода с инжекцией неосновных носителей заряда в базовые области
1
Связан
2
Обусловлен инжекцией лишь в одну из базовых областей
3
Нет
9
ОПК-2
Зависит ли ток насыщения в идеализированном p-n-переходе от обратного напряжения
1
Не зависит при обратном напряжении больше 3-4 тепловых потенциалов
2
Зависит от обратного напряжения по линейному закону
3
Зависит от обратного напряжения по гиперболическому закону
10
ОПК-2
Зависит ли вид вольт-амперной характеристики полупроводникового диода от уровня инжекции в базовые области
1
Не зависит
2
Зависит очень слабо
3
Очень сильно зависит
11
ОПК-2
Ток термогенерации или ток насыщения зависят от температуры сильнее
1
Одинаково зависят от температуры
2
Ток насыщения
3
Ток термогенерации
12
ОПК-2
В каких выпрямительных диодах выше допустимые рабочие плотности тока
1
В кремниевых диодах
2
В германиевых диодах
3
От полупроводникового материала диода рабочие плотности тока не зависят
13
ОПК-2
С ростом температуры напряжение лавинного пробоя полупроводникового диода
1
Увеличивается
2
Уменьшается
3
Остается постоянным
14
ОПК-2
С ростом температуры напряжение туннельного пробоя полупроводникового диода
1
Увеличивается
2
Уменьшается
3
Остается постоянным
15
ОПК-2
Диод Шоттки
1
Это диод на основе МДП-структуры
2
Это диод на основе сильнолегированных полупроводников
3
Это диод на основе выпрямляющего контакта металл-полупроводник
16
ОПК-2
Полупроводниковый стабилитрон предназначен для стабилизации
1
Тока
2
Напряжения
3
Мощности
17
ОПК-2
Участки ВАХ с отрицательным дифференциальным сопротивлением имеют
1
Стабилитрон
2
Полевой транзистор
3
Туннельный диод
18
ОПК-2
Варикап – это полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании зависимости
1
Барьерной емкости от обратного напряжения
2
Диффузионной емкости от обратного напряжения
3
Дифференциального сопротивления от обратного напряжения
19
ОПК-2
Что такое транзистор
1
Это электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий не меньше трех электродов и предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов

2
Это электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий не больше трех электродов и обладающий свойством односторонней проводимости

3
Это электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий не больше трех электродов и обладающий свойством накопления электрического заряда

20
ОПК-2
Как называются выводы биполярного транзистора
1
Сетка, катод, анод
2
База, коллектор, эмиттер
3
Затвор, исток, сток
21
ОПК-2
Какое требование предъявляется к толщине базы биполярного транзистора
1
Она должна быть меньше средней длины свободного пробега электрона
2
Она должна быть меньше длины волны электрона
3
Она должна быть меньше диффузионной длины неосновных носителей заряда
22
ОПК-2
В каких режимах могут работать биполярные транзисторы
1
Активном, отсечки и насыщения
2
Пассивном и активном
3
Электронном и дырочном
23
ОПК-2
В каком режиме эмиттерный переход прямосмещен, а коллекторный переход смещен в обратном направлении
1
Насыщения
2
Отсечки
3
Активном
24
ОПК-2
Что такое инверсный режим работы биполярного транзистора
1
Эмиттерный и коллекторный переходы смещены в прямом направлении
2
Эмиттерный и коллекторный переходы смещены в обратном направлении
3
Эмиттерный переход смещен в обратном направлении а коллекторный в прямом
25
ОПК-2
Коэффициент усиления по току биполярного транзистора, включенного с общей базой
1
Меньше единицы
2
Больше единицы
3
Равен единице
26
ОПК-2
При какой схеме включения биполярного транзистора происходит усиление входного сигнала и по току и по напряжению
1
В схеме с общим эмиттером
2
В схеме с общей базой
3
В схеме с общим коллектором
27
ОПК-2
Напряжение пробоя больше для биполярного транзистора, включенного с общей базой или с общим эмиттером
1
Напряжение пробоя биполярного транзистора от схемы включения не зависит
2
С общим эмиттером
3
С общей базой
28
ОПК-2
1
Неосновными
2
Основными
3
Только электронами
29
ОПК-2
В каких транзисторах входное сопротивление наибольшее
1
В биполярных транзисторах
2
2
В полевых транзисторах
3
В однопереходных транзисторах
30
ОПК-2
В каких транзисторах мощность, потребляемая цепью управления наименьшая
1
В МОП-транзисторах
2
2
В биполярных транзисторах
3
В полевых транзисторах с управляющим p-n-переходом
31
ОПК-2
Что значит комплементарные МОП-транзисторы
1
Это изготовленные на одном кристалле МОП-транзисторы с индуцированным и со встроенным каналами
2
2
Это изготовленные на одном кристалле МОП-транзисторы с противоположным типом проводящих каналов
3
Это изготовленные на одном кристалле два МОП-транзистора с одинаковым типом проводящих каналов
32
ОПК-2
Какой параметр отражает усилительные свойства МОП-транзистора
1
Крутизна передаточной характеристики
1
2
Кривизна передаточной характеристики
3
Крутизна обратной связи
33
ОПК-2
Какой вид имеет прямая ветвь вольт-амперной характеристики тиристора
1
П- образный
3
2
N - образный
3
S - образный
34
ОПК-2
Какая используется эквивалентная схема замещения тиристора
1
Двухтранзисторная
1
2
Два встречно включенных диода
3
Это два противоположно направленных параллельно соединенных диода
35
ОПК-2
От чего зависит частота излучения светодиода
1
От прямого тока
2
2
От ширины запрещенной зоны полупроводника
3
От обратного напряжения на светодиоде
36
ОПК-2
Что такое внешний квантовый выход светодиода
1
Это произведение коэффициента инжекции и внутреннего квантового выхода
2
2
Это произведение коэффициента инжекции, внутреннего квантового выхода и коэффициента вывода света


Это величина обратная внутреннего квантового выхода
37
ОПК-2
Что такое фотодиодный режим работы фотодиода
1
К фотодиоду приложено прямое напряжение
3
2
Фотодиод работает в отсутствии внешнего источника напряжения
3
К фотодиоду приложено обратное напряжение
38
ОПК-2
Что такое фотогальванический режим работы фотодиода
1
К фотодиоду не приложено напряжение, он сам работает как источник напряжения
1
2
К фотодиоду приложено переменное напряжение
3
К фотодиоду приложено обратное напряжение
39
ОПК-2
Может ли коэффициент усиления фоторезистора быть больше единицы
1
Может
2
2
Не может
3
Зависит от типа фоторезистора
40
ОПК-2
В какой области фотодиода фотоносители перемещаются используя механизм дрейфа
1
В области пространственного заряда p-n-перехода
1
2
В базовой области
3
Ни в какой

перейти в каталог файлов


связь с админом